H5AN8G6NAFR-VKC vs H5AN8G4NAFR-RDC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-VKC von SK hynix und H5AN8G4NAFR-RDC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G4NAFR-RDC H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x4 1.2V | SK hynix

H5AN8G4NAFR-RDC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NAFR-VKC H5AN8G4NAFR-RDC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,25 $2,30
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8Gb
Speicherorganisation 512M x 16 1G x 4
Core Supply Voltage 1.2 V —
Technology CMOS —
Gehäuse FBGA-96 (PBGA96) FBGA-78
Speed Grade -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) —
Data Rate Class Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s]
Family H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR —
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount
RoHS-Status Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant Compliant (Lead-Free)
Application Main memory (high density, high bandwidth) —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh mode specification] Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin]
Schnittstelle — Synchronous, differential clock CK_t/CK_c
Bank Architecture — DDR4 bank-group architecture
Halogenfrei — Yes
Manufacturer — SK hynix
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / Jul. 2017

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