H5AN8G6NAFR-VKC vs H5AN8G4NAFR-RDC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NAFR-VKC 제조: SK hynix 및 H5AN8G4NAFR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NAFR-VKC | H5AN8G4NAFR-RDC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.25 | $2.30 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 1G x 4 |
| Core Supply Voltage | 1.2 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| 패키지 | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-78 |
| Speed Grade | -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) | — |
| Data Rate Class | Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) | [DATA_NEEDED: exact -RDC speed bin MT/s] |
| Family | H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant | Compliant (Lead-Free) |
| Application | Main memory (high density, high bandwidth) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh mode specification] | Self-refresh and auto-refresh per DDR4 SDRAM standard |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CL for -RDC bin] |
| 인터페이스 | — | Synchronous, differential clock CK_t/CK_c |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Manufacturer | — | SK hynix |
| Datasheet Revision | — | Rev. 1.2 / Jul. 2017 |