H5AN8G6NAFR-VKC vs H5AN8G6NAFR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NAFR-VKC von SK hynix und H5AN8G6NAFR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NAFR-VKC H5AN8G6NAFR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,25 $3,55
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Core Supply Voltage 1.2 V —
Technology CMOS —
Gehäuse FBGA-96 (PBGA96) TFBGA-96 (rectangular)
Speed Grade -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) —
Data Rate Class Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) —
Family H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR —
Montageart Surface Mount (BGA) Surface Mount
RoHS-Status Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Application Main memory (high density, high bandwidth) —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh mode specification] Auto / Self Refresh
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
VDD Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VDDQ Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VPP Supply Voltage — 2.5 V +0.25/-0.125 V
Schnittstellentyp — DDR4 (parallel, double data rate)
Speed Bins Supported — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables)
DLL — DLL ON mode for speed bin operation
Clock — Differential clock (CK/CK#)
Number of Terminals — 96
Composition — CMOS

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