H5AN8G6NAFR-VKC vs H5AN8G6NAFR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NAFR-VKC 제조: SK hynix 및 H5AN8G6NAFR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NAFR-VKC | H5AN8G6NAFR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.25 | $3.55 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Core Supply Voltage | 1.2 V | — |
| Technology | CMOS | — |
| 패키지 | FBGA-96 (PBGA96) | TFBGA-96 (rectangular) |
| Speed Grade | -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) | — |
| Data Rate Class | Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) | — |
| Family | H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR | — |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| RoHS 상태 | Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Application | Main memory (high density, high bandwidth) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh mode specification] | Auto / Self Refresh |
| CAS 레이턴시 | [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] | — |
| Package Dimensions | [DATA_NEEDED: package dimensions] | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| VDD Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.20 V +/- 0.06 V |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V +0.25/-0.125 V |
| 인터페이스 유형 | — | DDR4 (parallel, double data rate) |
| Speed Bins Supported | — | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables) |
| DLL | — | DLL ON mode for speed bin operation |
| Clock | — | Differential clock (CK/CK#) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Composition | — | CMOS |