H5AN8G6NAFR-VKC vs H5AN8G6NAFR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NAFR-VKC par SK hynix et H5AN8G6NAFR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G6NAFR-VKC H5AN8G6NAFR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,25 $3,55
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
Core Supply Voltage 1.2 V —
Technology CMOS —
Boîtier FBGA-96 (PBGA96) TFBGA-96 (rectangular)
Speed Grade -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) —
Data Rate Class Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) —
Family H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR —
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Statut RoHS Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Application Main memory (high density, high bandwidth) —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh mode specification] Auto / Self Refresh
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
VDD Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VDDQ Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VPP Supply Voltage — 2.5 V +0.25/-0.125 V
Type d'interface — DDR4 (parallel, double data rate)
Speed Bins Supported — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables)
DLL — DLL ON mode for speed bin operation
Clock — Differential clock (CK/CK#)
Number of Terminals — 96
Composition — CMOS

Fiches techniques et ressources

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