H5AN8G6NAFR-VKC vs H5AN8G6NAFR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NAFR-VKC por SK hynix e H5AN8G6NAFR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NAFR-VKC H5AN8G6NAFR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,25 $3,55
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gbit
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Core Supply Voltage 1.2 V —
Technology CMOS —
Encapsulamento FBGA-96 (PBGA96) TFBGA-96 (rectangular)
Speed Grade -VKC (DDR4-2666 class, per SK Hynix part numbering) —
Data Rate Class Up to 2666 MT/s (per -VKC speed code) —
Family H5AN8G4NAFR / H5AN8G8NAFR / H5AN8G6NAFR —
Tipo de montagem Surface Mount (BGA) Surface Mount
Status RoHS Lead-Free & Halogen-Free, RoHS Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Application Main memory (high density, high bandwidth) —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh mode specification] Auto / Self Refresh
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -VKC bin] —
Package Dimensions [DATA_NEEDED: package dimensions] —
Nível MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
VDD Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VDDQ Supply Voltage — 1.20 V +/- 0.06 V
VPP Supply Voltage — 2.5 V +0.25/-0.125 V
Tipo de interface — DDR4 (parallel, double data rate)
Speed Bins Supported — DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (datasheet speed bin tables)
DLL — DLL ON mode for speed bin operation
Clock — Differential clock (CK/CK#)
Number of Terminals — 96
Composition — CMOS

Fichas técnicas e recursos

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