H5AN8G6NCJR-RDC vs H5AN8G6NCJR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NCJR-RDC von SK hynix und H5AN8G6NCJR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NCJR-RDC H5AN8G6NCJR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $19,69 $60,00
Memory Density 8 Gb (8589934592 bit) —
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Technology CMOS —
Package Code TFBGA (PBGA96) —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 —
Montageart Surface Mount —
Temperature Grade OTHER —
Data Rate Family [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps] —
Supply Voltage Class [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin] —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin] —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
RoHS-Status Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet) —
Density — 8 Gb
Datenrate — 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Betriebstemperatur — 0°C to +95°C
Gehäuse — FBGA-96
Operating Current (IDD2N) — 28 mA
Operating Current (IDD4R) — 45 mA
Burst Length — 8 (BC4)
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Address Bits — [DATA_NEEDED: Row Address Bits]
Column Address Bits — [DATA_NEEDED: Column Address Bits]
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
RoHS — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

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