H5AN8G6NCJR-RDC vs H5AN8G6NCJR-VKC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NCJR-RDC par SK hynix et H5AN8G6NCJR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G6NCJR-RDC H5AN8G6NCJR-VKC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $19,69 $60,00
Memory Density 8 Gb (8589934592 bit) —
Organisation de la mémoire 512M x 16 512M x 16
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Technology CMOS —
Package Code TFBGA (PBGA96) —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 —
Type de montage Surface Mount —
Temperature Grade OTHER —
Data Rate Family [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps] —
Supply Voltage Class [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin] —
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin] —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Statut RoHS Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet) —
Density — 8 Gb
Débit de données — 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Température de fonctionnement — 0°C to +95°C
Boîtier — FBGA-96
Operating Current (IDD2N) — 28 mA
Operating Current (IDD4R) — 45 mA
Burst Length — 8 (BC4)
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Address Bits — [DATA_NEEDED: Row Address Bits]
Column Address Bits — [DATA_NEEDED: Column Address Bits]
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes
RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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