H5AN8G6NCJR-RDC vs H5AN8G6NCJR-VKC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NCJR-RDC por SK hynix y H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN8G6NCJR-RDC H5AN8G6NCJR-VKC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $19,69 $60,00
Memory Density 8 Gb (8589934592 bit) —
Organización de memoria 512M x 16 512M x 16
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Technology CMOS —
Package Code TFBGA (PBGA96) —
Package Shape Rectangular —
Number of Terminals 96 —
Tipo de montaje Surface Mount —
Temperature Grade OTHER —
Data Rate Family [DATA_NEEDED: specific speed grade Mbps] —
Supply Voltage Class [DATA_NEEDED: nominal VDD per datasheet speed bin] —
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: min/max C per -RDC bin] —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Function Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Estado RoHS Lead-Free & Halogen-Free (RoHS Compliant, per H5AN8G6 family datasheet) —
Density — 8 Gb
Velocidad de datos — 2666 Mbps
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V (1.14V to 1.26V)
Temperatura de funcionamiento — 0°C to +95°C
Encapsulado — FBGA-96
Operating Current (IDD2N) — 28 mA
Operating Current (IDD4R) — 45 mA
Burst Length — 8 (BC4)
Latencia CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Address Bits — [DATA_NEEDED: Row Address Bits]
Column Address Bits — [DATA_NEEDED: Column Address Bits]
Lead-Free — Yes
Sin halógenos — Yes
RoHS — Compliant

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