H5AN8G6NCJR-UHC vs H5AN8G6NDJR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NCJR-UHC von SK hynix und H5AN8G6NDJR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $34,60
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Speed Grade DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) 3200 Mbps (PC4-25600)
Versorgungsspannung 1.2 V —
Gehäuse FBGA-96 (96-ball) FBGA-96 (13x7.5 mm)
Montageart Surface Mount (BGA) —
Betriebstemperatur 0C to +95C —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet) —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Minimum Operating Temperature — 0 °C
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

Datenblätter & Ressourcen

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