H5AN8G6NCJR-UHC vs H5AN8G6NDJR-UHC 比較

詳細な並列比較: H5AN8G6NCJR-UHC メーカー: SK hynix および H5AN8G6NDJR-UHC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $34.60
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
メモリ構成 512M x 16 512M x 16
Speed Grade DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) 3200 Mbps (PC4-25600)
電源電圧 1.2 V —
パッケージ FBGA-96 (96-ball) FBGA-96 (13x7.5 mm)
実装タイプ Surface Mount (BGA) —
動作温度 0C to +95C —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Lead-Free / Halogen-Free Yes (per family datasheet) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
JESD-30 Code — R-PBGA-B96
Maximum Operating Temperature — 85 °C
Minimum Operating Temperature — 0 °C
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
Additional Features — Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling

データシート&リソース

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