H5AN8G6NCJR-UHC vs H5AN8G6NDJR-UHC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NCJR-UHC 제조: SK hynix 및 H5AN8G6NDJR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NCJR-UHC | H5AN8G6NDJR-UHC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.00 | $34.60 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| 공급 전압 | 1.2 V | — |
| 패키지 | FBGA-96 (96-ball) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | — |
| 동작 온도 | 0C to +95C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per family datasheet) | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Minimum Operating Temperature | — | 0 °C |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Additional Features | — | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling |