H5AN8G6NCJR-UHC vs H5AN8G6NDJR-UHC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NCJR-UHC par SK hynix et H5AN8G6NDJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NCJR-UHC | H5AN8G6NDJR-UHC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $34,60 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Speed Grade | DDR4-2400 (2400 Mbps/pin) | 3200 Mbps (PC4-25600) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-96 (96-ball) | FBGA-96 (13x7.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per family datasheet) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS certification statement] | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| JESD-30 Code | — | R-PBGA-B96 |
| Maximum Operating Temperature | — | 85 °C |
| Minimum Operating Temperature | — | 0 °C |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| Additional Features | — | Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling |