H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NCJR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NCJR-VKC von SK hynix und H5AN8G6NCJR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $60,00 $0,00
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Datenrate 2666 Mbps —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
Betriebstemperatur 0°C to +95°C 0C to +95C
Gehäuse FBGA-96 FBGA-96 (96-ball)
Operating Current (IDD2N) 28 mA —
Operating Current (IDD4R) 45 mA —
Burst Length 8 (BC4) —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Address Bits [DATA_NEEDED: Row Address Bits] —
Column Address Bits [DATA_NEEDED: Column Address Bits] —
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
RoHS Compliant —
Speed Grade — DDR4-2400 (2400 Mbps/pin)
Versorgungsspannung — 1.2 V
Montageart — Surface Mount (BGA)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per family datasheet)
RoHS-Status — [DATA_NEEDED: RoHS certification statement]

Datenblätter & Ressourcen

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