H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NCJR-UHC Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NCJR-VKC от SK hynix и H5AN8G6NCJR-UHC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Активен
SK hynix
H5AN8G6NCJR-UHC H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx16 | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-UHC ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-UHC
Бренд SK hynix SK hynix
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $60,00 $0,00
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Скорость передачи данных 2666 Mbps —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
Рабочая температура 0°C to +95°C 0C to +95C
Корпус FBGA-96 FBGA-96 (96-ball)
Operating Current (IDD2N) 28 mA —
Operating Current (IDD4R) 45 mA —
Burst Length 8 (BC4) —
Задержка CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Address Bits [DATA_NEEDED: Row Address Bits] —
Column Address Bits [DATA_NEEDED: Column Address Bits] —
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes —
RoHS Compliant —
Speed Grade — DDR4-2400 (2400 Mbps/pin)
Напряжение питания — 1.2 V
Тип монтажа — Surface Mount (BGA)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per family datasheet)
Статус RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS certification statement]

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену