H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NCJR-UHC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix e H5AN8G6NCJR-UHC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-VKC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NCJR-VKC H5AN8G6NCJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $60,00 $0,00
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 8 Gb
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Taxa de dados 2666 Mbps —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (1.14V to 1.26V) —
Temperatura de operação 0°C to +95°C 0C to +95C
Encapsulamento FBGA-96 FBGA-96 (96-ball)
Operating Current (IDD2N) 28 mA —
Operating Current (IDD4R) 45 mA —
Burst Length 8 (BC4) —
Latência CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Address Bits [DATA_NEEDED: Row Address Bits] —
Column Address Bits [DATA_NEEDED: Column Address Bits] —
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
RoHS Compliant —
Speed Grade — DDR4-2400 (2400 Mbps/pin)
Tensão de alimentação — 1.2 V
Tipo de montagem — Surface Mount (BGA)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Lead-Free / Halogen-Free — Yes (per family datasheet)
Status RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS certification statement]

Fichas técnicas e recursos

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