H5AN8G6NCJR-XXC vs MT41K256M16HA-125:E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NCJR-xxC von SK hynix und MT41K256M16HA-125:E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NCJR-xxC H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC ✓ Aktiv
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NCJR-xxC MT41K256M16HA-125:E
Marke SK hynix Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,50 $3,10
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 8 Gb 4 Gbit
Speicherorganisation 512M x 16 256M x 16
Datenrate 2666 Mbps (VKC speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.35 V (DDR3L)
VPP Supply 2.5 V —
Operating Temperature (TC) 0°C to 95°C —
Gehäuse 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Number of Banks 8 —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
On-Die Termination (ODT) Supported —
Self-Refresh Temperature-compensated (TCSR) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Montageart Surface Mount Surface Mount
Clock Frequency — 800 MHz
CAS-Latenz — 13.75 ns
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35 V
Anzahl der Pins — 96
Betriebstemperaturbereich — 0°C to +95°C (TC)
RoHS-Status — Compliant
Datenbusbreite — 16 bits
Logic Family — CMOS

Datenblätter & Ressourcen

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