H5AN8G6NCJR-XXC vs MT41K256M16HA-125:E Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G6NCJR-xxC por SK hynix y MT41K256M16HA-125:E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G6NCJR-xxC | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,50 | $3,10 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4 Gbit |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps (VKC speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.35 V (DDR3L) |
| VPP Supply | 2.5 V | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to 95°C | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Supported | — |
| Self-Refresh | Temperature-compensated (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Latencia CAS | — | 13.75 ns |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Número de pines | — | 96 |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |