H5AN8G6NCJR-XXC vs MT41K256M16HA-125:E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G6NCJR-xxC par SK hynix et MT41K256M16HA-125:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G6NCJR-xxC | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,50 | $3,10 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 2666 Mbps (VKC speed grade) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.35 V (DDR3L) |
| VPP Supply | 2.5 V | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to 95°C | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Supported | — |
| Self-Refresh | Temperature-compensated (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Latence CAS | — | 13.75 ns |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Largeur du bus de données | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |