H5AN8G6NDJR-UHC vs AS4C512M16D4A-62BCN Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G6NDJR-UHC von SK hynix und AS4C512M16D4A-62BCN von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ Aktiv
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G6NDJR-UHC AS4C512M16D4A-62BCN
Marke SK hynix Alliance Memory
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $34,60 $7,20
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Speicherorganisation 512M x 16 512M x 16
Speed Grade 3200 Mbps (PC4-25600) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Number of Terminals 96 —
Gehäuse FBGA-96 (13x7.5 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Package Shape RECTANGULAR —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Minimum Operating Temperature 0 °C —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
Additional Features Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling —
Speichergröße — 8 Gbit
Versorgungsspannung — 1.2 V
Datenrate — 1600 MHz (3200 Mbps)
CAS-Latenz — 18 ns
Betriebstemperatur — 0°C to 95°C
Montageart — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Schnittstelle — POD (Pseudo Open Drain)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
RoHS-Status — Compliant
Packaging — Tray

Datenblätter & Ressourcen

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