H5AN8G6NDJR-UHC vs AS4C512M16D4A-62BCN Сравнение

Подробное сравнение бок о бок H5AN8G6NDJR-UHC от SK hynix и AS4C512M16D4A-62BCN от Alliance Memory. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ Активен
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр H5AN8G6NDJR-UHC AS4C512M16D4A-62BCN
Бренд SK hynix Alliance Memory
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $34,60 $7,20
Тип памяти DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Организация памяти 512M x 16 512M x 16
Speed Grade 3200 Mbps (PC4-25600) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Number of Terminals 96 —
Корпус FBGA-96 (13x7.5 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Package Shape RECTANGULAR —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Minimum Operating Temperature 0 °C —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Без галогенов Yes —
Additional Features Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling —
Размер памяти — 8 Gbit
Напряжение питания — 1.2 V
Скорость передачи данных — 1600 MHz (3200 Mbps)
Задержка CAS — 18 ns
Рабочая температура — 0°C to 95°C
Тип монтажа — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Интерфейс — POD (Pseudo Open Drain)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
Статус RoHS — Compliant
Packaging — Tray

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену