H5AN8G6NDJR-UHC vs AS4C512M16D4A-62BCN Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5AN8G6NDJR-UHC por SK hynix e AS4C512M16D4A-62BCN por Alliance Memory. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5AN8G6NDJR-UHC H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NDJR-UHC ✓ Ativo
Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BCN AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BCN ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5AN8G6NDJR-UHC AS4C512M16D4A-62BCN
Marca SK hynix Alliance Memory
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $34,60 $7,20
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb —
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Speed Grade 3200 Mbps (PC4-25600) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Number of Terminals 96 —
Encapsulamento FBGA-96 (13x7.5 mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Package Shape RECTANGULAR —
JESD-30 Code R-PBGA-B96 —
Maximum Operating Temperature 85 °C —
Minimum Operating Temperature 0 °C —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Livre de halogênio Yes —
Additional Features Auto/Self Refresh, Auto Precharge, Asynchronous Reset, Data Mask, Dynamic ODT, ZQ Calibration, CRC, Write Leveling —
Tamanho da memória — 8 Gbit
Tensão de alimentação — 1.2 V
Taxa de dados — 1600 MHz (3200 Mbps)
Latência CAS — 18 ns
Temperatura de operação — 0°C to 95°C
Tipo de montagem — Surface Mount
JEDEC Standard — Compliant
Interface — POD (Pseudo Open Drain)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
On-Die Termination — Yes
Status RoHS — Compliant
Packaging — Tray

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação