H5AN8G8NAFR-PBC vs H5ANAG8NBJR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G8NAFR-PBC von SK hynix und H5ANAG8NBJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G8NAFR-PBC H5ANAG8NBJR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie DRAM DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,20 $31,50
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 16 Gbit (2 GB)
Speicherorganisation 1G x 8 x8
Versorgungsspannung 1.2 V —
Gehäuse FBGA-78 FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Speed Grade / Data Rate [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] PBC suffix, DDR4-2666 class
Schnittstelle DDR4 (double data rate, synchronized to clock) —
Address Inputs A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed) —
Connectivity Test Mode TEN (optional input on x4/x8, required on x16) —
Process Technology CMOS —
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet)
Datasheet Revision Rev. 1.2 / July 2017 —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Bank Architecture — 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard)
Prefetch — 8n
Schnittstellentyp — Parallel, SSTL12
CAS Latency (typical bin) — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes
Die Revision — BJR
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard quantity]

Datenblätter & Ressourcen

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