H5AN8G8NAFR-PBC vs H5ANAG8NBJR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NAFR-PBC par SK hynix et H5ANAG8NBJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-PBC H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-PBC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G8NAFR-PBC H5ANAG8NBJR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie DRAM DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,20 $31,50
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb 16 Gbit (2 GB)
Organisation de la mémoire 1G x 8 x8
Tension d'alimentation 1.2 V —
Boîtier FBGA-78 FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Speed Grade / Data Rate [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] PBC suffix, DDR4-2666 class
Interface DDR4 (double data rate, synchronized to clock) —
Address Inputs A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed) —
Connectivity Test Mode TEN (optional input on x4/x8, required on x16) —
Process Technology CMOS —
Lead-Free Yes —
Sans halogène Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet)
Datasheet Revision Rev. 1.2 / July 2017 —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Bank Architecture — 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard)
Prefetch — 8n
Type d'interface — Parallel, SSTL12
CAS Latency (typical bin) — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes
Die Revision — BJR
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard quantity]

Fiches techniques et ressources

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