H5AN8G8NAFR-PBC vs H5ANAG8NBJR-PBC Сравнение
Подробное сравнение бок о бок H5AN8G8NAFR-PBC от SK hynix и H5ANAG8NBJR-PBC от SK hynix. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | H5AN8G8NAFR-PBC | H5ANAG8NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Бренд | SK hynix | SK hynix |
| Категория | DRAM | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $2,20 | $31,50 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 16 Gbit (2 GB) |
| Организация памяти | 1G x 8 | x8 |
| Напряжение питания | 1.2 V | — |
| Корпус | FBGA-78 | FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade / Data Rate | [DATA_NEEDED: speed grade / data rate] | PBC suffix, DDR4-2666 class |
| Интерфейс | DDR4 (double data rate, synchronized to clock) | — |
| Address Inputs | A0 - A17 (A10/AP, A12/BC_n, RAS_n/A16, CAS_n/A15, WE_n/A14 multiplexed) | — |
| Connectivity Test Mode | TEN (optional input on x4/x8, required on x16) | — |
| Process Technology | CMOS | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Статус RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet) |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 / July 2017 | — |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Bank Architecture | — | 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard) |
| Prefetch | — | 8n |
| Тип интерфейса | — | Parallel, SSTL12 |
| CAS Latency (typical bin) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Refresh | — | Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes |
| Die Revision | — | BJR |
| Уровень MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Standard Package Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard quantity] |