H5AN8G8NAFR-RDC vs H5AN8G8NAFR-VKC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G8NAFR-RDC von SK hynix und H5AN8G8NAFR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC ✓ Aktiv
SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-VKC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,95 $4,15
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Speicherorganisation 1G x 8 (x8) 1G x 8
Schnittstelle DDR4 (Double Data Rate 4) SSTL12
Speed Grade -RDC (DDR4-2666 class) DDR4-2666 (VKC bin)
Datenrate 2666 MT/s (per -R speed grade suffix) —
Core Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Wordline Supply (VPP) 2.5 V —
Banks / Bank Groups 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture) —
Burst Length 8 (BL8) 8 (BL8)
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Gehäuse 78-ball FBGA 78-ball FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Lead-Free Yes —
Halogenfrei Yes —
RoHS-Status Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Datasheet Revision Rev. 1.2 / Jul. 2017 —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Bank Group Architecture — Supported (per DDR4 JEDEC architecture)
On-Die Termination (ODT) — Yes
DLL — Yes (DLL for output skew control)
Process Technology — CMOS
Recommended Application — Main memory requiring large density and high bandwidth

Datenblätter & Ressourcen

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