H5AN8G8NAFR-RDC vs H5AN8G8NAFR-VKC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NAFR-RDC par SK hynix et H5AN8G8NAFR-VKC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | H5AN8G8NAFR-RDC | H5AN8G8NAFR-VKC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,95 | $4,15 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 (x8) | 1G x 8 |
| Interface | DDR4 (Double Data Rate 4) | SSTL12 |
| Speed Grade | -RDC (DDR4-2666 class) | DDR4-2666 (VKC bin) |
| Débit de données | 2666 MT/s (per -R speed grade suffix) | — |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| I/O Supply Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Wordline Supply (VPP) | 2.5 V | — |
| Banks / Bank Groups | 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | 8 (BL8) |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | — |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) |
| Datasheet Revision | Rev. 1.2 / Jul. 2017 | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Bank Group Architecture | — | Supported (per DDR4 JEDEC architecture) |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes (DLL for output skew control) |
| Process Technology | — | CMOS |
| Recommended Application | — | Main memory requiring large density and high bandwidth |