H5AN8G8NAFR-RDC vs H5AN8G8NAFR-VKC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NAFR-RDC 제조: SK hynix 및 H5AN8G8NAFR-VKC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G8NAFR-VKC H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC - 8Gb DDR4-2666 SDRAM 1.2V | SK hynix

H5AN8G8NAFR-VKC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-VKC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.95 $4.15
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
메모리 구성 1G x 8 (x8) 1G x 8
인터페이스 DDR4 (Double Data Rate 4) SSTL12
Speed Grade -RDC (DDR4-2666 class) DDR4-2666 (VKC bin)
데이터 속도 2666 MT/s (per -R speed grade suffix) —
Core Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
I/O Supply Voltage (VDDQ) 1.2 V —
Wordline Supply (VPP) 2.5 V —
Banks / Bank Groups 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture) —
Burst Length 8 (BL8) 8 (BL8)
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
패키지 78-ball FBGA 78-ball FBGA
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: Operating Temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Lead-Free Yes —
할로겐 프리 Yes —
RoHS 상태 Compliant Compliant (Lead-Free & Halogen-Free)
Datasheet Revision Rev. 1.2 / Jul. 2017 —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Bank Group Architecture — Supported (per DDR4 JEDEC architecture)
On-Die Termination (ODT) — Yes
DLL — Yes (DLL for output skew control)
Process Technology — CMOS
Recommended Application — Main memory requiring large density and high bandwidth

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