H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G8NCJR-RDC von SK hynix und H5AN8G8NCJR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,70 $2,88
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb (1 GB) 8 Gb
Speicherorganisation x8 1G x 8
Datenrate up to 2666 Mbps —
Versorgungsspannung 1.2 V (VDD) —
Schnittstelle DDR4 (JEDEC standard) —
Bank Architecture 4 bank groups x 4 banks —
Burst Length BL8 —
Gehäuse 78-ball FBGA FBGA-78
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA)
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] —
Generation C-die family (NCJR) —
Lead Free Yes —
Halogenfrei Yes —
RoHS-Status Compliant —
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
RoHS Code — Yes
REACH Compliance — Yes (per distributor record)
Lead-Free — Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free)
Halogenfrei — Yes
Part Life Cycle Code — Active
Access Type — Synchronous, both clock edges (DDR)
Memory Configuration — Bank-group architecture DDR4
Die Revision — CJR (C-die family)
Manufacturer — SK hynix Inc.

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