H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-UHC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G8NCJR-RDC 제조: SK hynix 및 H5AN8G8NCJR-UHC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ 활성
SK hynix
H5AN8G8NCJR-UHC H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-UHC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.70 $2.88
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb (1 GB) 8 Gb
메모리 구성 x8 1G x 8
데이터 속도 up to 2666 Mbps —
공급 전압 1.2 V (VDD) —
인터페이스 DDR4 (JEDEC standard) —
Bank Architecture 4 bank groups x 4 banks —
Burst Length BL8 —
패키지 78-ball FBGA FBGA-78
실장 유형 Surface Mount Surface Mount (BGA)
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] —
Generation C-die family (NCJR) —
Lead Free Yes —
할로겐 프리 Yes —
RoHS 상태 Compliant —
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
RoHS Code — Yes
REACH Compliance — Yes (per distributor record)
Lead-Free — Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free)
할로겐 프리 — Yes
Part Life Cycle Code — Active
Access Type — Synchronous, both clock edges (DDR)
Memory Configuration — Bank-group architecture DDR4
Die Revision — CJR (C-die family)
Manufacturer — SK hynix Inc.

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