H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-UHC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5AN8G8NCJR-RDC par SK hynix et H5AN8G8NCJR-UHC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-UHC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,70 $2,88
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb (1 GB) 8 Gb
Organisation de la mémoire x8 1G x 8
Débit de données up to 2666 Mbps —
Tension d'alimentation 1.2 V (VDD) —
Interface DDR4 (JEDEC standard) —
Bank Architecture 4 bank groups x 4 banks —
Burst Length BL8 —
Boîtier 78-ball FBGA FBGA-78
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latence CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] —
Generation C-die family (NCJR) —
Lead Free Yes —
Sans halogène Yes —
Statut RoHS Compliant —
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
RoHS Code — Yes
REACH Compliance — Yes (per distributor record)
Lead-Free — Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free)
Sans halogène — Yes
Part Life Cycle Code — Active
Access Type — Synchronous, both clock edges (DDR)
Memory Configuration — Bank-group architecture DDR4
Die Revision — CJR (C-die family)
Manufacturer — SK hynix Inc.

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis