H5AN8G8NCJR-RDC vs H5AN8G8NCJR-UHC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NCJR-RDC por SK hynix y H5AN8G8NCJR-UHC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

SK hynix
H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NCJR-RDC ✓ Activo
SK hynix
H5AN8G8NCJR-UHC H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC - 8Gb DDR4-2400 SDRAM FBGA-78 | SK hynix

H5AN8G8NCJR-UHC ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro H5AN8G8NCJR-RDC H5AN8G8NCJR-UHC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,70 $2,88
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gb (1 GB) 8 Gb
Organización de memoria x8 1G x 8
Velocidad de datos up to 2666 Mbps —
Tensión de alimentación 1.2 V (VDD) —
Interfaz DDR4 (JEDEC standard) —
Bank Architecture 4 bank groups x 4 banks —
Burst Length BL8 —
Encapsulado 78-ball FBGA FBGA-78
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (BGA)
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] —
Generation C-die family (NCJR) —
Lead Free Yes —
Sin halógenos Yes —
Estado RoHS Compliant —
Speed Grade — DDR4-2400 (PC4-19200)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
RoHS Code — Yes
REACH Compliance — Yes (per distributor record)
Lead-Free — Yes (family documented as Lead-Free & Halogen-Free)
Sin halógenos — Yes
Part Life Cycle Code — Active
Access Type — Synchronous, both clock edges (DDR)
Memory Configuration — Bank-group architecture DDR4
Die Revision — CJR (C-die family)
Manufacturer — SK hynix Inc.

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