H5AN8G8NDJR vs H5AN8G6NCJR-VKC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5AN8G8NDJR von SK hynix und H5AN8G6NCJR-VKC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5AN8G8NDJR | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $24,50 | $60,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | 512M x 16 |
| Datenrate | 3200 MT/s | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to +95°C |
| Gehäuse | FBGA-78 (7.5x11 mm) | FBGA-96 |
| CAS-Latenz | 22 (typical) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (BC4) |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| Halogenfrei | — | Yes |