H5AN8G8NDJR vs H5AN8G6NCJR-VKC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5AN8G8NDJR por SK hynix y H5AN8G6NCJR-VKC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5AN8G8NDJR | H5AN8G6NCJR-VKC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $24,50 | $60,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gb |
| Organización de memoria | 1G x 8 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 3200 MT/s | 2666 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) |
| VDDQ | 1.2 V | — |
| VPP | 2.5 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (Tc) | 0°C to +95°C |
| Encapsulado | FBGA-78 (7.5x11 mm) | FBGA-96 |
| Latencia CAS | 22 (typical) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| tRCD | 22 ns | — |
| tRP | 22 ns | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (BC4) |
| Self-Refresh Current | 30 mA (typical) | — |
| Active Standby Current | 60 mA (typical) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Operating Current (IDD2N) | — | 28 mA |
| Operating Current (IDD4R) | — | 45 mA |
| Row Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Row Address Bits] |
| Column Address Bits | — | [DATA_NEEDED: Column Address Bits] |
| Sin halógenos | — | Yes |