H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NAMR-UHC von SK hynix und H5ANAG6NCR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NCR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,50 $70,20
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) —
Speicherorganisation 1G x 16 x16 (1G x 16)
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
Gehäuse FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96
Montageart Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to 85C
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) —
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]
Schnittstellentyp Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Lebenszyklusstatus Active production —
Density — 16Gb (2GB)
Versorgungsspannung — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Transfer Rate — 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps])
Number of Terminals — 96 balls
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic ODT — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Maximum Standby Current — [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade]

Datenblätter & Ressourcen

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