H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NAMR-UHC par SK hynix et H5ANAG6NCR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NCR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,50 $70,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) —
Organisation de la mémoire 1G x 16 x16 (1G x 16)
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
Boîtier FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96
Type de montage Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to 85C
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) —
Latence CAS [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]
Type d'interface Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Statut du cycle de vie Active production —
Density — 16Gb (2GB)
Tension d'alimentation — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Transfer Rate — 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps])
Number of Terminals — 96 balls
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic ODT — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Maximum Standby Current — [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade]

Fiches techniques et ressources

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