H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCR-PBC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NAMR-UHC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NCR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NCR-PBC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $4.50 $70.20
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) —
메모리 구성 1G x 16 x16 (1G x 16)
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
패키지 FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96
실장 유형 Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to 85C
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) —
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]
인터페이스 유형 Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
수명 주기 상태 Active production —
Density — 16Gb (2GB)
공급 전압 — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Transfer Rate — 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps])
Number of Terminals — 96 balls
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic ODT — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Maximum Standby Current — [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade]

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