H5ANAG6NAMR-UHC vs H5ANAG6NCR-PBC Comparación

Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NAMR-UHC por SK hynix y H5ANAG6NCR-PBC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro H5ANAG6NAMR-UHC H5ANAG6NCR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,50 $70,20
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16 Gbit (2 GB) —
Organización de memoria 1G x 16 x16 (1G x 16)
Speed Grade / Data Rate DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Architecture CMOS DDR4 with bank groups —
Power Class Normal Power —
Encapsulado FBGA-96 (PBGA96) FBGA-96
Tipo de montaje Surface Mount (BGA solder ball) Surface Mount
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to 85C
Refresh Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms) —
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CL for UHC bin] [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]
Tipo de interfaz Parallel, synchronous, double data rate —
Available Speed Bins (family) PB / RD / TF / UH / VK —
Application Class Main memory, embedded, industrial —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Estado del ciclo de vida Active production —
Density — 16Gb (2GB)
Tensión de alimentación — 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Transfer Rate — 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps])
Number of Terminals — 96 balls
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic ODT — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes
Write Leveling — Yes
Maximum Standby Current — [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade]

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