H5ANAG6NBJR-PBC vs H5ANAG6NCR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NBJR-PBC von SK hynix und H5ANAG6NCR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NCR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,45 $70,20
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) 16Gb (2GB)
Versorgungsspannung 1.2 V 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Generation Max Data Rate 3200 MT/s (family max) —
Gehäuse FBGA-96 FBGA-96
Montageart Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: Operating Temperature] 0C to 85C
Speed Bin (PBC) [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] —
Speicherorganisation [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] x16 (1G x 16)
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Transfer Rate — 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps])
Number of Terminals — 96 balls
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic ODT — Yes
Maximum Standby Current — [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade]
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]

Datenblätter & Ressourcen

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