H5ANAG6NBJR-PBC vs H5ANAG6NCR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-PBC par SK hynix et H5ANAG6NCR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NCR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,45 $70,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) 16Gb (2GB)
Tension d'alimentation 1.2 V 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Generation Max Data Rate 3200 MT/s (family max) —
Boîtier FBGA-96 FBGA-96
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature] 0C to 85C
Speed Bin (PBC) [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] —
Organisation de la mémoire [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] x16 (1G x 16)
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Transfer Rate — 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps])
Number of Terminals — 96 balls
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic ODT — Yes
Maximum Standby Current — [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade]
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]

Fiches techniques et ressources

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