H5ANAG6NBJR-PBC vs H5ANAG6NCR-PBC 비교

다음의 상세 나란히 비교: H5ANAG6NBJR-PBC 제조: SK hynix 및 H5ANAG6NCR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ 활성

사양 비교

파라미터 H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NCR-PBC
브랜드 SK hynix SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.45 $70.20
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) 16Gb (2GB)
공급 전압 1.2 V 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Generation Max Data Rate 3200 MT/s (family max) —
패키지 FBGA-96 FBGA-96
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes
동작 온도 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] 0C to 85C
Speed Bin (PBC) [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] —
메모리 구성 [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] x16 (1G x 16)
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Transfer Rate — 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps])
Number of Terminals — 96 balls
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic ODT — Yes
Maximum Standby Current — [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade]
CAS 레이턴시 — [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]

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