H5ANAG6NBJR-PBC vs H5ANAG6NCR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NBJR-PBC por SK hynix e H5ANAG6NCR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NCR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,45 $70,20
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb (2 GB) 16Gb (2GB)
Tensão de alimentação 1.2 V 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V)
Generation Max Data Rate 3200 MT/s (family max) —
Encapsulamento FBGA-96 FBGA-96
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Self Refresh Auto self-refresh —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
On-Chip Termination Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: Operating Temperature] 0C to 85C
Speed Bin (PBC) [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] —
Organização da memória [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] x16 (1G x 16)
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
Transfer Rate — 3200 Mbps (family, per XNCR datasheet; PBC speed grade [DATA_NEEDED: exact speed grade Mbps])
Number of Terminals — 96 balls
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Data Mask — Yes
Dynamic ODT — Yes
Maximum Standby Current — [DATA_NEEDED: maximum standby current for PBC speed grade]
Latência CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for PBC speed grade]

Fichas técnicas e recursos

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