H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG8NBJR-PBC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NBJR-VKC von SK hynix und H5ANAG8NBJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NBJR-VKC H5ANAG8NBJR-PBC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $15,00 $31,50
Manufacturer SK Hynix —
Part Number H5ANAG6NBJR-VKC —
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16Gb (2GB) —
Speicherorganisation [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] x8
Datenrate 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) —
Versorgungsspannung 1.2 V (DDR4 standard) —
Schnittstelle DDR4, SSTL-12 —
Gehäuse FBGA-96 (PBGA96) FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -40C to +95C (family grade reference) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet)
Density — 16 Gbit (2 GB)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — PBC suffix, DDR4-2666 class
Bank Architecture — 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard)
Prefetch — 8n
Schnittstellentyp — Parallel, SSTL12
CAS Latency (typical bin) — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes
Die Revision — BJR
MSL-Level — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard quantity]

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