H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG8NBJR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NBJR-VKC por SK hynix e H5ANAG8NBJR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG6NBJR-VKC H5ANAG8NBJR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs DRAM
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $15,00 $31,50
Manufacturer SK Hynix —
Part Number H5ANAG6NBJR-VKC —
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16Gb (2GB) —
Organização da memória [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] x8
Taxa de dados 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) —
Tensão de alimentação 1.2 V (DDR4 standard) —
Interface DDR4, SSTL-12 —
Encapsulamento FBGA-96 (PBGA96) FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -40C to +95C (family grade reference) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Status RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet)
Density — 16 Gbit (2 GB)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — PBC suffix, DDR4-2666 class
Bank Architecture — 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard)
Prefetch — 8n
Tipo de interface — Parallel, SSTL12
CAS Latency (typical bin) — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes
Die Revision — BJR
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard quantity]

Fichas técnicas e recursos

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