H5ANAG6NBJR-VKC vs H5ANAG8NBJR-PBC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG6NBJR-VKC par SK hynix et H5ANAG8NBJR-PBC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre H5ANAG6NBJR-VKC H5ANAG8NBJR-PBC
Marque SK hynix SK hynix
Catégorie Memory ICs DRAM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $15,00 $31,50
Manufacturer SK Hynix —
Part Number H5ANAG6NBJR-VKC —
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 16Gb (2GB) —
Organisation de la mémoire [DATA_NEEDED: x16 organization per datasheet] x8
Débit de données 2666 Mbps (per family reference, VKC speed code) —
Tension d'alimentation 1.2 V (DDR4 standard) —
Interface DDR4, SSTL-12 —
Boîtier FBGA-96 (PBGA96) FBGA-78 (7.5 mm x 11 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40C to +95C (family grade reference) [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Auto Self-Refresh Yes —
Data Mask Function Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
CRC Function Yes —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per Hynix family datasheet)
Density — 16 Gbit (2 GB)
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Speed Grade / Data Rate — PBC suffix, DDR4-2666 class
Bank Architecture — 16 banks in 4 bank groups (DDR4 standard)
Prefetch — 8n
Type d'interface — Parallel, SSTL12
CAS Latency (typical bin) — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Refresh — Self refresh, 1x/2x/4x refresh modes
Die Revision — BJR
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standard Package Quantity — [DATA_NEEDED: standard quantity]

Fiches techniques et ressources

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