H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NBJR-PBC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NCJR-XNC von SK hynix und H5ANAG6NBJR-PBC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | H5ANAG6NCJR-XNC | H5ANAG6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Marke | SK hynix | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $84,97 | $6,45 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 16 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps/pin | — |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Gehäuse | FBGA-96 | FBGA-96 |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Packaging | Tray | — |
| RoHS-Status | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 16 Gb (2 GB) |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Generation Max Data Rate | — | 3200 MT/s (family max) |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Betriebstemperatur | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Speed Bin (PBC) | — | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] |
| Speicherorganisation | — | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] |