H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NBJR-PBC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG6NCJR-XNC por SK hynix y H5ANAG6NBJR-PBC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG6NCJR-XNC | H5ANAG6NBJR-PBC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $84,97 | $6,45 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gbit | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps/pin | — |
| Supply Voltage Range | 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Encapsulado | FBGA-96 | FBGA-96 |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask Function | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Packaging | Tray | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Density | — | 16 Gb (2 GB) |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Generation Max Data Rate | — | 3200 MT/s (family max) |
| Self Refresh | — | Auto self-refresh |
| On-Chip Termination | — | Dynamic ODT |
| Temperatura de funcionamiento | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature] |
| Speed Bin (PBC) | — | [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s] |
| Organización de memoria | — | [DATA_NEEDED: Organization x16/x8] |