H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NBJR-PBC 比較

詳細な並列比較: H5ANAG6NCJR-XNC メーカー: SK hynix および H5ANAG6NBJR-PBC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ 生産中
SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NBJR-PBC
ブランド SK hynix SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $84.97 $6.45
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 16 Gbit —
Memory Organization 1G x 16 —
データレート 3200 Mbps/pin —
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) —
インターフェース Parallel —
パッケージ FBGA-96 FBGA-96
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask Function Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
Packaging Tray —
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Density — 16 Gb (2 GB)
電源電圧 — 1.2 V
Generation Max Data Rate — 3200 MT/s (family max)
Self Refresh — Auto self-refresh
On-Chip Termination — Dynamic ODT
動作温度 — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Speed Bin (PBC) — [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s]
メモリ構成 — [DATA_NEEDED: Organization x16/x8]

データシート&リソース

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