H5ANAG6NCJR-XNC vs H5ANAG6NBJR-PBC Comparação

Comparação detalhada lado a lado de H5ANAG6NCJR-XNC por SK hynix e H5ANAG6NBJR-PBC por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

SK hynix
H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NCJR-XNC ✓ Ativo
SK hynix
H5ANAG6NBJR-PBC H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC - 16Gb DDR4 SDRAM DRAM Chip | SK hynix

H5ANAG6NBJR-PBC ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro H5ANAG6NCJR-XNC H5ANAG6NBJR-PBC
Marca SK hynix SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $84,97 $6,45
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 16 Gbit —
Memory Organization 1G x 16 —
Taxa de dados 3200 Mbps/pin —
Supply Voltage Range 1.14 V to 1.26 V (VDD/VDDQ) —
Interface Parallel —
Encapsulamento FBGA-96 FBGA-96
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes Yes
Data Mask Function Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
CRC Function Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
Packaging Tray —
Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Density — 16 Gb (2 GB)
Tensão de alimentação — 1.2 V
Generation Max Data Rate — 3200 MT/s (family max)
Self Refresh — Auto self-refresh
On-Chip Termination — Dynamic ODT
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: Operating Temperature]
Speed Bin (PBC) — [DATA_NEEDED: Speed grade MT/s]
Organização da memória — [DATA_NEEDED: Organization x16/x8]

Fichas técnicas e recursos

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