H5ANAG6NCMR-XNC vs H5ANAG6NAMR-UHC Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von H5ANAG6NCMR-XNC von SK hynix und H5ANAG6NAMR-UHC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter H5ANAG6NCMR-XNC H5ANAG6NAMR-UHC
Marke SK hynix SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $31,40 $4,50
Speichertyp DDR4 SDRAM (Volatile DRAM) DDR4 SDRAM
Speichergröße 16 Gb —
Memory Organization 1G x 16 —
Datenrate 3200 Mbps/pin —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
Technology CMOS —
Power Class Normal Power Normal Power
Schnittstelle Parallel —
Speed Grade XN (3200) —
Gehäuse FBGA-96 FBGA-96 (PBGA96)
Montageart Surface Mount Surface Mount (BGA solder ball)
Product Status Active —
RoHS-Status RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate] Self-refresh and auto-refresh (DDR4 standard 64 ms)
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200] [DATA_NEEDED: CL for UHC bin]
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Density — 16 Gbit (2 GB)
Speicherorganisation — 1G x 16
Speed Grade / Data Rate — DDR4-2400 (UHC bin, PC4-19200)
Architecture — CMOS DDR4 with bank groups
Schnittstellentyp — Parallel, synchronous, double data rate
Available Speed Bins (family) — PB / RD / TF / UH / VK
Application Class — Main memory, embedded, industrial
Lebenszyklusstatus — Active production

Datenblätter & Ressourcen

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